Flip Chip

フリップチップ実装(ACF)

保有プロセス:実装技術

大型・高精度などの仕様を実現するフリップチップ実装

フリップチップ実装技術で設計者が直面する「実装上の物理的制約」の解消します。最大300×300mmの大型基板への対応や、一枚のFPC上への複数IC実装(実績:2〜5個)、さらには熱対策や剛性確保に不可欠な放熱板・補強板付きFPCへの実装など、他社で敬遠されがちな特殊な条件下でも、±1μmという極限の搭載精度を維持したまま具現化が可能です。

features

イングスシナノの
フリップチップ実装(ACF)

  • FPCへ複数のIC実装をしたい場合も対応可能です。(実績値2~5IC)

  • 300X300mmまでの大型基板へのフリップチップ実装に対応。(※設備能力値)

  • 放熱板、補強版付きFPCへの実装に対応します。

  • ±1μmの搭載精度が搭載が可能です。(※設備能力値)

point

技術のポイント

  • point01

    複数のIC実装、大型基板への実装が可能

    大型基板や、1シートに2〜5個のICを配置する多連実装では、基板全体の熱分布や位置精度の管理が極めて難しくなります。
    当社では長年のノウハウに基づき、一括接合時の品質バラツキを最小限に抑える独自のプロセス設計を行い、高い歩留まりを実現します。
    【対応サイズ】
    10×10mm~300×300mm
    (※実装位置等の制約で、上記サイズ内であっても対応出来ない場合がある為、事前にご相談ください。)

  • point02

    条件に合わせた高度な加圧・加熱制御

    ACF接合の肝となるのは、導電粒子の押し潰し具合を均一に保つ「荷重」と「熱」の管理です。特に反りやすいFPCや、熱膨張率の異なる異材質基板、さらに放熱板・補強板付きのワークに対しても、個別の熱伝導特性を考慮した最適なプロセス条件を導き出します。

  • point03

    ±1μmの搭載精度

    ±1μmの搭載精度でフリップチップ実装が可能です。(※)
    実装位置が限られている場合や狭ピッチの案件もご相談ください。

    (※)上記の搭載制度は装置スペック上の表記となります。現品の状態により変動致しますので、詳しくは技術担当者へご相談下さい。

owned equipment

保有設備

  • 高精度加圧・加熱ギャングボンダー

    仕様

    • ステージサイズ
    • コンスタントヒート:130×150mm
    • パルスヒート   : 66× 56mm
    • 対象ダイサイズ :1×1mm~20×20mm
    • ヘッド-ステージ平行度
    • ± 3μm/20mm□
    • ± 20μm/100mm□
    • 加圧レンジ:100~5000N
    • 加熱レンジ:Max 300℃
    • 窒素パージ可能
  • フリップチップボンダー

    仕様

    • 対象基板サイズ:50×50mm~330×250mm
    • 対象ダイサイズ:1×1mm~20×20mm
    • 実装精度:3μm/3σ加圧レンジ:5~490N
    • 加熱レンジ:Max 500℃
    • チップ供給部:Wf・Max8インチもしくは2インチトレイ・4インチトレイ
  • フリップチップボンダー

    仕様

    • ボンディング位置精度:3μm/3σ(メーカー保証値)
    • 0.3mm角のLEDベアチップの高精度搭載が可能
    • 加圧レンジ : 5N~490N
    • 加熱レンジ : Max.500℃
    • ESC工法が出来ます

flip chip

フリップチップ実装とは

フリップチップ実装とはベアチップ(半導体をチップに切り出したもの)を、反転(フリップ)して実装する方法です。
フリップチップ実装が登場するまでは、半導体実装はワイヤーボンディングが主流でした。
ワイヤーボンディングはチップと基板の間をワイヤーで接続するため、チップの能動面は上面でした。
これに対して、フリップチップ実装では、能動面が下向きとなり、基板面に対向して実装されます。
ワイヤーボンディングに対してチップが反対面を向くため、フリップチップと呼ばれています。

フリップチップ実装の特徴

フリップチップ実装とワイヤーボンディング実装を比べると、次のような優位点があります。

  • 実装面積の極小化(省スペース化)

    チップの電極を基板に直接向き合わせて接続するため、ワイヤーボンディングで必要となる「チップ外周のワイヤー張り出しエリア」が不要になります。チップサイズとほぼ同等の面積で実装できるため、デバイス全体の小型化・高密度化において圧倒的な優位性を誇ります。

  • 高周波特性の向上(低インダクタンス)

    ワイヤーを介さず直接接続することで、配線長を極限まで短縮できます。これにより、高速信号の妨げとなるインダクタンス(寄生成分)成分が大幅に低減。信号の遅延やノイズを抑えることができるため、高周波通信デバイスや高速プロセッサの実装に最適です。

  • 低抵抗・低損失な電気接続

    チップと基板がバンプやACFを介して面または最短距離で導通するため、細いワイヤーを用いる方式に比べて電気抵抗を低く抑えることが可能です。電力損失が少なく、効率的な電力供給が求められるパワーマネジメント系ICや大電流を扱う部品においても高い性能を発揮します。

  • 多端子一括接続による高い生産性

    ワイヤーボンディングは1ピンずつ順番に結線していく必要がありますが、フリップチップ(ACF)実装は数百、数千の端子であっても加熱・加圧によって一括で接続します。端子数が増えるほど、1チップあたりの処理時間(スループット)において大きな時間短縮メリットが得られます。

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