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メールマガジン 8月
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今回のお題は信州酸化ガリウムデバイス化研究会についてです。
当社は、今年度より長野県産業振興機構が進めている信州酸化ガリウムデバイス化研究会に参画いたしました。この研究会は、信州大学の干川特任教授の酸化ガリウム結晶育成技術、およびこれを用いたデバイス化技術を推進するための産官学連携プロジェクトです。長野県は、産業総合技術研究所(産総研)のミニマルファブで量産技術を確立し、1,000億円規模の企業を長野県に創生することを目論んでいます。
酸化ガリウムは、日本が国を挙げて取り組んでいるパワー半導体(以前、このコラムでも取り上げました)の高性能化に大きな可能性を付加する基板(ウェハー)です。パワー半導体を生成するウェハーにはSi(シリコン)、SiC(シリコンカーバイト)、GaN(窒化ガリウム
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