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営業案内

今回、パワー半導体向け、最先端12インチダイボンダー導入のお知らせです。

半導体市場において今後伸びる分野のひとつとしてパワー半導体があります。
EVや家電の電源等、電力を最適に制御するために使用されるパワー半導体は旺盛な需要から供給不足が続いています。
そのため、従来は精度や歩留りが重視され6-8インチウェハーが用いられていましたが、12インチへの大口径化による生産数の向上、コスト低減を目指す方向にシフトしてきているようです。
海外メーカーはいち早くパワー半導体向け12インチウェハーの工場を立上げましたが、日本でも半導体メーカー各社が12インチ化への動きを進めています。

弊社でも12インチサイズのパワー半導体実装に対応するため、最先端の12インチダイボンダーを導入しております。
また、最先端アルミワイヤーボンダーも保有しているため、ダイボンド後のワイヤーボンディングも実施可能となっており、さまざまなお客様の多様なニーズに対応してまいります。


12インチ,12インチダイボンダー

ダミーウエハ


12インチダイボンダー

Cuワイヤ対応 最先端モデルのワイヤボンダーを導入しました。
ワイヤ材質の中で安価なCuワイヤーの取扱いが可能となっており
さまざまなお客様の多様なニーズに対応してまいります。
(対応線種:金線、銅線、銀線)


Cuワイヤ,ワイヤーボンディング
装置概仕様
 1.適応サブストレートサイズ
  幅 : 15~95mm
  長さ: 90~300mm
  厚さ: 0.1~1.5mm
 2.ボンディングエリア
  X : 56mm
  Y : 87mm
 3.総合ボンド位置精度
  ±2.0mm@3σ(1stボンド)

12インチウェハまで対応可能なダイボンダを導入しました。


12インチ,12in,ウエハ,ベアチップ実装,Wafer,IC,シリコンウエハ
装置概仕様
  • 対応ウェハサイズ: 8インチ、12インチ
  • 対応チップサイズ: 0.25~15mm (t=75μm~)
  • 搭載ボンディング精度: XY方向 ±20μm(3σ), θ方向±0.5°

真空貼り合わせ装置 (オプティカルボンディング用途)を新規に導入しました。
次のような特徴を持っています。

  • 対象基板サイズ : ~500×500mm
  • 対象基板厚み  : ~40mm
  • 貼り合わせ精度 : ±150μm
  • 加圧レンジ   : 0.05~0.5MPa
  • 加熱レンジ   : RT~Max100℃
  • 真空度     : ~Max10pa

主にディスプレイとカバーガラスのOCA/OCRを使用したオプティカルボンディング用途として
ご活用いただけます。

ディスプレイサイズ  縦横比4:3 24.5インチまで
           縦横比16:9 22.5インチまで   対応可能です。



Cu線、Au線、Ag線に対応可能なワイヤーボンダーを新規に導入しました。
このワイヤーボンダーは次のような特徴を持っています。

  • ウルトラファインピッチ能力:35μmインラインパッドピッチ
  • 対応ワイヤ径:15μm~60μm(38μm< 要相談)
  • ボンドエリア:X 56mm×Y 90mm
  • ワークサイズ:長さ90-300mm、幅25-100mm、厚み0.1-2.0mm

特にCuワイヤボンディングの能力は高く、標準として取り扱いが可能です。Auコストが高いためコストを下げたい、Cuボンディングの評価を行いたい等のご要望がございましたら、ぜひご活用ください。


ワイヤーボンダー

ワイヤーボンダー


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